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本專利是按照特定質(zhì)量分?jǐn)?shù)摻雜體系A(chǔ)g+ZnO液固合成的前驅(qū)體溶液（導(dǎo)電墨水），在低溫狀態(tài)下與PEN基底參與反應(yīng)直接培植結(jié)晶而成的低電阻高透光率可以導(dǎo)電的AgZnO基系列薄膜。 產(chǎn)品一：AgZnO基系列前驅(qū)（導(dǎo)電墨水）?？梢杂∷?dǎo)電點(diǎn)或?qū)щ娋€路，是打印3D成型體、納米機(jī)器人、醫(yī)療、軍事裝備 、電子器件、半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵材料。產(chǎn)品二：AgZnO薄膜。是運(yùn)用產(chǎn)品制備而成的低電阻高透光率可以導(dǎo)電的AgZnO薄膜，應(yīng)用于氣敏傳感器、PV電池、熱反射器、透光電極、化學(xué)電池電陰極，軌道衛(wèi)星溫度控制靜電和防護(hù)，也是ITO（銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜）替代品的首選材料。前驅(qū)體溶液可穩(wěn)定維持一維維度，達(dá)到2—18nm，優(yōu)于國(guó)內(nèi)25nm的最好水平，解決了其它同行粗晶粒產(chǎn)品的分布稀疏、有孔洞、功函數(shù)過(guò)載流子濃度低的缺陷，線寬線距可達(dá)30μm以下，電磁屏蔽好，透光率≥91%霧度≤0.6色度b*≤1.2，電阻≤45Ω，性能指標(biāo)方面處于國(guó)際最高水平；無(wú)銦或少銦和減少貴金屬Ag用量的導(dǎo)電薄膜，比國(guó)際最高水平的公司同類產(chǎn)品制作成本低2/3；優(yōu)化了目前行業(yè)內(nèi)常用的涂布、CVD蒸鍍法等復(fù)雜、成本高居不下的制作工藝，幾乎無(wú)材料浪費(fèi)和有毒物質(zhì)排放。按歸類分級(jí)規(guī)格粒子再分散至分散液中沉積基片，自制的分散液可以達(dá)到2.5m.pa，很好的解決了溶液團(tuán)聚現(xiàn)象，同時(shí)浸潤(rùn)筆修飾圖案修飾平整度，促使線幅縮減到1~3μm，很好的克莫瑞干涉，產(chǎn)品良率達(dá)到97%以上。本技術(shù)國(guó)內(nèi)外鮮有文獻(xiàn)媒體報(bào)道，技術(shù)門(mén)檻高，目前全球只有美日韓少數(shù)幾家企業(yè)掌握導(dǎo)電油墨20nm以內(nèi)的溶液分散核心技術(shù)（國(guó)內(nèi)其他企業(yè)制備納米銀線油墨粒徑均超過(guò)25nm，且分散性差）。本技術(shù)屬于自主研發(fā)，已申請(qǐng)專利，完成中試，已經(jīng)有小批量銷售。 【展開(kāi)】 【收起】